SK Hynix представляет 321-слойную UFS 4.1, которая работает быстрее, тоньше и эффективнее, чем предыдущее поколение

Производитель оперативной памяти SK hynix анонсировал первую в мире 321-слойную флэш-память UFS 4.1 TLC NAND для смартфонов. Он быстрее, эффективнее и тоньше в загрузке – идеально подходит для следующего поколения телефонов, которые будут ориентированы на тонкие сборки и инструменты искусственного интеллекта, утверждают в компании.

По сравнению с предыдущим поколением (в котором использовалась 238-слойная схема), выпущенным в 2022 году, эти новые чипы памяти имеют на 15% более высокую скорость случайного чтения и на 40% более высокую скорость случайной записи. Для последовательного чтения они максимально используют интерфейс на скорости 4,3 ГБ/с.

Ко всему прочему, толщина корпуса NAND уменьшилась с 1 мм до 0,85 мм. Это звучит не так уж и много, но каждая мелочь помогает, если такие телефоны, как Galaxy S25 Edge, становятся популярными.

Несмотря на последние тенденции, новая 321-слойная конструкция UFS 4.1 на 7% более энергоэффективна, чем предыдущее поколение – меньшее тепловыделение и более высокая производительность всегда в тренде.

SK Hynix unveils 321-layer UFS 4.1 that is faster, thinner and more efficient than the previous gen

SK hynix утверждает, что скорость последовательного чтения повысит производительность искусственного интеллекта на устройстве (поскольку это ускорит загрузку модели в оперативную память), в то время как улучшенная производительность в случайном порядке повысит многозадачность.

Компания будет выпускать накопители двух емкостей – 512 ГБ и 1 ТБ. Все верно, версии на 256 ГБ не будет, так что на это стоит обратить внимание при выборе вашего следующего телефона (например, в моделях на 128 ГБ теперь используется UFS 3.1).

Однако это проблема на следующий год – SK hynix заявляет, что рассчитывает получить заказы от производителей смартфонов в этом году и начать поставки в больших объемах в первые три месяца следующего года.

Однако речь идет не только о смартфонах, компания также работает над 321-слойным дизайном твердотельных накопителей для потребителей и центров обработки данных.

Источник

Source