Производитель оперативной памяти SK hynix анонсировал первую в мире 321-слойную флэш-память UFS 4.1 TLC NAND для смартфонов. Он быстрее, эффективнее и тоньше в загрузке – идеально подходит для следующего поколения телефонов, которые будут ориентированы на тонкие сборки и инструменты искусственного интеллекта, утверждают в компании.
По сравнению с предыдущим поколением (в котором использовалась 238-слойная схема), выпущенным в 2022 году, эти новые чипы памяти имеют на 15% более высокую скорость случайного чтения и на 40% более высокую скорость случайной записи. Для последовательного чтения они максимально используют интерфейс на скорости 4,3 ГБ/с.
Ко всему прочему, толщина корпуса NAND уменьшилась с 1 мм до 0,85 мм. Это звучит не так уж и много, но каждая мелочь помогает, если такие телефоны, как Galaxy S25 Edge, становятся популярными.
Несмотря на последние тенденции, новая 321-слойная конструкция UFS 4.1 на 7% более энергоэффективна, чем предыдущее поколение – меньшее тепловыделение и более высокая производительность всегда в тренде.
SK hynix утверждает, что скорость последовательного чтения повысит производительность искусственного интеллекта на устройстве (поскольку это ускорит загрузку модели в оперативную память), в то время как улучшенная производительность в случайном порядке повысит многозадачность.
Компания будет выпускать накопители двух емкостей – 512 ГБ и 1 ТБ. Все верно, версии на 256 ГБ не будет, так что на это стоит обратить внимание при выборе вашего следующего телефона (например, в моделях на 128 ГБ теперь используется UFS 3.1).
Однако это проблема на следующий год – SK hynix заявляет, что рассчитывает получить заказы от производителей смартфонов в этом году и начать поставки в больших объемах в первые три месяца следующего года.
Однако речь идет не только о смартфонах, компания также работает над 321-слойным дизайном твердотельных накопителей для потребителей и центров обработки данных.
Источник