Samsung использовала оперативную память LPDDR5 для серии Galaxy S23, а затем обновила ее до LPDDR5X для моделей S24. В этом году флагманы будут использовать чипы LPDDR5X, хотя, по сообщениям Newsweek, компания выбрала чипы, изготовленные на узле меньшего размера.
Сообщается, что в серии Galaxy S24 используются 13-нм чипы оперативной памяти производства Samsung. В сегодняшнем отчете говорится, что серия Galaxy S25 перейдет на 12–нм чипы, и что Samsung перешла на Micron для первоначального заказа. Ожидается, что в будущих партиях Samsung будет использовать большую долю чипов оперативной памяти производства Samsung.
Меньший по размеру полупроводниковый узел для оперативной памяти S25 будет потреблять меньше энергии, что снизит нагрев и повысит эффективность. Эта оперативная память будет работать в паре с Snapdragon 8 Elite во всех трех (четырех?) моделях.
Ожидается, что у vanilla S25, что особенно важно для поклонников маленьких телефонов Galaxy S, будет 12 ГБ оперативной памяти – это был последний флагман Samsung, у которого еще оставалось 8 ГБ. В совокупности все это должно значительно повысить производительность.
Источник (на корейском языке)
Source (in Korean)